半导体

用于半导体行业的高纯石墨

随着5G通信、新能源汽车、物联网、智能手机、消费电子等各种终端应用的蓬勃发展，半导体市场规模持续增长。

半导体的发展与石墨材料在半导体工业中的应用是分不开的：从半导体硅片用多晶硅材料的生产，到半导体晶体生长(天论是CZ单晶生长，还是蓝宝石单晶生长，还是SiC单晶生长)，再到半导体硅片加工(包括区熔、外延、外形加工等)，还有进一步晶片加工离子注入工艺……石墨材料都是不可或缺的辅助工具或重要部件。

高纯度是半导体用石墨部件的关键要求

半导体制造工艺中的温度很高，并且伴有腐蚀性很强的工艺气体和强磁场。作为高纯石墨制造专家，我们针对半导体生产过程中对石墨部件高纯度、低灰分的严苛要求，我们开发出了纯度最高的(灰分<5ppm)的材料，并且硼含量和磷含量为个位数PPb级，以应对客户的特别具有挑战性的应用环境。

用于晶体生长

无论是硅的CZ单晶直拉法，碳化硅块状生长的PVT法，还是蓝宝石的HEM法，半导体晶体生长用到的所有工艺的涉及到超高温度和腐蚀性环境，且对生产过程中石墨部件的纯度要求苛刻。因此，工业晶体生长炉的热场选材，通常使用我们耐热耐腐的高纯石墨材料。

 PVT法用SiC单晶生长用石墨坩埚

我们的材料适用于各种类型的晶体生长炉

我们的材料可用于制作CZ直拉单晶石墨热场的保温筒、加热器、导流筒、三瓣坩埚、坩锅托、埚轴等多种部件:
PVT法用SiC单晶生长用石墨坩埚、发热体、石墨盖;蓝宝石HEM法晶体生长用加热器、石墨电极。

为满足特种晶体生长装置的要求，我们提供纯化至5ppm以下的高纯石墨材料。

CZ单晶炉

用于硅片外延

半导体产业对制程升级的不断追求，使外延生长技术的重要性愈发凸显，硅片外延是硅晶片成为半导体前重要的工艺。在生产工艺中，硅晶片是承载在石墨基座上的。石墨基座的品质对整个产品最终性能呈现起关键作用。因此，石墨基座的选材至关重要。

外延设备石墨基座

稳定的材料带来出众的表现

我们的材料凭借极高纯度、化学稳定性和热稳定性等特征，适合硅片外延设备众多石墨部件:表面SiC涂层的单片式、立式、盘式石墨基座，另外还有等离子注入用部件。

适用于半导体领域的五星高纯石墨牌号及参考指标

注:1、产品性端为产品中心位置营标；2、气扎申为开口、闭口气孔率之机；3、为能联系数条件：室温·600℃。

用于LED芯片生产

金属有机化学气相沉积系统(MOCVD)是生产LED晶圆的主流方法。在MOCVD反应腔中，因为经过特殊处理的旋转石墨基座会移动衬底晶片，所以基座的石墨材料的性能对芯片成品率也有影响。

我们的材料适用MOCVD装置的多种组件

我们推荐纯度高、强度高和热导率均匀的最佳等静压石墨牌号。材料可用在MOVCD装置中SiC涂层石墨基座、卫生盘、盖子等部件等。

碳化硅ICP托盘	半导体品圆碾磨制程中的SiC石显载盘	MOCVD反应腔中的SiC石墨载盘